• EverspinMRAM非易失性存储器的五大优势
• MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车，工业，军事和太空应用，这些对于MRAM开发人员来说是重要的部分。那么MRAM的优势究竟有哪些呢?下面我们分几点一起来看看:首先，MRAM是非易失性存储器，也就是断电后MRAM依旧可以保存数据。这一点和之前介绍的NRAM类似。其次，MRAM不存在读取磨损的问题。由于MRAM的原理只涉及磁场改变方向等，不像闪存颗粒那样需要一定数量的电子才能工作，...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Everspin MRAM,非易失性存储器,MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2021-02-05 17:09:00

• 非易失性MRAM及其单元结构
• MRAM的优异性能使它能较快取代目前广泛采用的DRAM内存及EEPROM闪存，作为新一代计算机的内存。MRAM目前是新一代计算机内存的最佳候选者，但不是唯一的，与它同期并存的还有FRAM(铁电随机存取存储器）和OUM(Ovshinsky电统一随机存取存储器)，三者科技内涵各有所长,市场预测尚难预料。本篇文章EverspinMRAM代理商宇芯电子要介绍的是关于非易失性MRAM的单元结构。MRAM器件的结构一个二维MRAM存储阵列如图1所示,可见MRAM器件是由相互正交的字线和位线组成删格,每个MRAM单元位于字线和位线的交叉点(即格点）处。通过每条字线和每条位线的编码可对器件中某个特定的MRA...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性MRAM,MRAM,非易失性MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-20 14:43:00

• Everspin扩展MRAM产品系列
• 经常有人将MRAM称作是非易失性存储器(NVRAM)未来的关键性技术。作为一项非易失性存储器技术，MRAM存储芯片是可以在掉电时保留数据并且不需要定期刷新。MRAM存储芯片利用磁性材料和传统的硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性，它的寿命几乎是没有限制的。MRAM芯片器件可以用于高速缓冲器﹑配置内存,以及其他要求高速且耐用和非易失性的商业应用。Everspin半导体在磁存储器设计和制造及交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。包括40nm和28nm及更高工艺在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJST-MRAM芯片生产。E...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Everspin,MRAM,非易失性存储器,Everspin MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-22 16:11:00

• EverspinMRAM优化系统能耗
• Everspin在磁存储器设计制造和交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有600多项有效专利和申请的知识产权，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面均处于市场领先地位。本篇文章介绍EverspinMRAM优化系统能耗。与EEPROM或闪存相比，诸如MRAM之类的技术可以显着降低系统总能耗。对于许多无线和便携式应用程序，尤其是在不断增长的物联网中，能源预算（一段时间内消耗的总功率）是至关重要的组成部分。在计算设计的功耗预算时，工程师通常会查看设备的额定功耗。但是，其他因素也可能起作用。例如，对于非易失性存储器，写电流远高于读或待...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Everspin MRAM,MRAM,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-17 13:57:00

• ​​everspin非易失性存储器中MRAM的潜在用途
• everspin非易失性存储器中MRAM的潜在用途与电子电荷存储的数据可能会因使用情况，时间和温度而泄漏和击穿的相反，MRAM（磁性随机存取存储器）使用1个晶体管–1个磁性隧道结（MTJ）体系结构作为MTJ的磁态作为数据存储元素。由于MRAM将数据存储为磁性状态，因此与现有的非易失性存储器相比，它具有许多重要的优势。与其他非易失性解决方案相比，MRAM的优势在于：•像不挥发一样闪烁•无编程/擦除周期（最快的写入周期）•快速的SRAM接口•对称的读/写周期•字节寻址能力•并行（x16）接口的35ns/2Bytes•带有串行接口的0.4us/2bytes（使用工作在40MHz的SPI接口）•无限...
• 所属专栏： 技术交流 标签： ​​everspin,非易失性存储器,MRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-31 14:32:00

• EVERSPIN非易失性存储器嵌入式技术
• 相关研究指出，如果以嵌入式MRAM取代微控制器中的eFlash和SRAM，可节省高达90%的功耗；如果采用单一晶体管MRAM取代六个晶体管SRAM，则可实现更高的位元密度和更小的芯片尺寸，这些功率与面积成本优势将使MRAM成为边缘侧设备的有力竞争者。而相较于传统的NAND闪存，PCRAM或ReRAM存储级存储器更可提供超过10倍以上的存取速度，更适合在云端对资料进行存储。MRAM是一种非易失性存储技术，从20世纪90年代开始发展。该技术具备接近静态随机存储器的高速读取写入能力，快闪存储器的非易失性、容量密度和与DRAM几乎相同的使用寿命，但平均能耗却远低于DRAM，而且可以无限次地重复写入。...
• 所属专栏： 电子入门基础知识 标签： EVERSPIN 非易失性存储器 MRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-20 17:24:00

• everspin自旋转矩MRAM技术
• MRAM的主体结构由三层结构的MTJ构成：自由层（freelayer），固定层和氧化层。自由层与固定层的材料分别是CoFeB和MgO。MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。存储器读取电路是通过加载相同的电压判断输出电流的大小从而判断存储器的信息。everspin的最新MRAM技术利用自旋转矩传递特性，即利用极化电流操纵电子的自旋，以建立自由层的所需磁状态，以对存储阵列中的位进行编程或写入。与ToggleMRAM相比，自旋传递扭矩MRAM或STT-MRAM显着降低了开...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM Everspin代理 非易失性MRMA 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-19 16:03:00

• Everspin非易失性MRAM切换技术
• Everspin在磁存储器设计，制造和交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。拥有超过600项有效专利和申请的知识产权组合，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品，为全球MRAM用户奠定了最强大，增长最快的基础。下面介绍关于切换MRAM技术切换MRAM使用1个晶体管，1个MTJ单元来提供简单的高密度存储器。Everspin使用获得专利的Toggle电池设计，可提供高可靠性。数据在温度下20年始终是非易失性的。在读取期间，传输晶体管被激...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Everspin,非易失性MRAM,Everspin代理商 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-11 16:30:00

• STT-MRAM存储器技术结构图
• 目前有数家芯片制造商,正致力于开发创新出名为STT-MRAM的新一代存储器技术,然而这项技术仍存在其制造和测试等面向存在着诸多挑战.STT-MRAM（又称自旋转移转矩MRAM技术）具有在单一元件中,结合数种常规存储器的特性而获得市场的高度重视.在多年来的发展中发现,STT-MRAM具备了SRAM的速度与快闪存储器的稳定性与耐久性.STT-MRAM是透过电子自旋的磁性特性,在芯片中提供非挥发性储存的功能.STT-MRAM深受市场关注尽管,STT-MRAM这项技术看起来虽然有其优势,却也高度复杂,这就是为什么它的发展历程远比预期的时间还更长.包括三星、台积电、英特尔、GlobalFoundrie...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM,非易失性MRAM,Everspin,非易失性存储技术 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-10 16:33:00

• MRAM在哪方面适合物联网
• “事物”是指可以通过传感器读取或通过电子方式确定和控制其状态的任何事物。通过互联网，物联网将能够彼此通信并做出决策，而无需人工干预。物联网的概念意味着将对象或机器连接到互联网，以便可以收集，共享和完善数据以支持更高的人类生活质量。可以从云中存储和访问应用程序和数据。人，应用程序或其他机器做出的决策可以作为控制事物的命令发布。MRAM在哪里适合物联网？作为快速写入的非易失性存储器，MRAM可能具有许多支持物联网的应用程序。许多物联网应用程序将以间歇访问或批处理模式运行对于必须连续更新快速写入的工作存储器数据，但必须在批读取访问之间或断电时保留的情况下，MRAM是理想的选择。物联网应用，其中待机...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性MRAM,EVERSPIN,MRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-06 16:28:00